*001974845
*00520250613135303.0
*007cr
*007ta
*008090303s1994    no            000 0 eng
*00901406cam a2200349 c 4500
*019  $bl
*020  $a8242302960
*035  $a(EXLNZ-47BIBSYS_NETWORK)999418093314702201
*035  $a(NO-LaBS)14752916(bibid)
*035  $a(NO-TrBIB)092932312
*035  $a(NO-TrBIB)941809331
*035  $a941809331-47bibsys_network
*040  $aNO-OsNB$bnob$ekatreg
*080  $a621.315.592.3
*080  $a621.315.592:548.58
*1001 $aHusby, Haldor$0(NO-TrBIB)90588364$_70266400
*24510$aAlxGa1-xAs microelectronic device processing using an arsenic capping layer$cby Haldor Husby, Jostein K. Grepstad, Ralph W. Bernstein
*260  $aKjeller$bTeleverkets forskningsinstitutt$c[1994]
*300  $a16 s.$bill.
*4901 $aRapport / Televerkets forskningsinstitutt$vTF R 19/94
*500  $aX og 1-x i AlxGa1-xAs er nedsenket
*533  $aElektronisk reproduksjon$b[Norge]$cNasjonalbiblioteket Digital$d2009-07-08
*588  $aKatalogisert etter omslag
*650 7$aGalliumarsenid (Halvledere)$2tekord$_186897700
*650 7$aHalvledere$xEpitaksi$2tekord$_187009500
*7001 $aBernstein, Ralph W.$0(NO-TrBIB)90259303$_23859100
*7001 $aGrepstad, Jostein K.$0(NO-TrBIB)90111308$_51116000
*830 0$aTF-rapport (trykt utg.)$x1500-2608$vTF R 19/94$w998711622534702201$_13459600
*85641$3Fulltekst$uhttps://urn.nb.no/URN:NBN:no-nb_digibok_2009070800097$yNettbiblioteket$zDigital representasjon
*901  $a80
*999  $aoai:nb.bibsys.no:999418093314702202$b2021-11-14T21:12:36Z$z999418093314702202
^