*001904622
*00520250613141416.0
*007cr
*007ta
*008110620s1998    no            000 0 eng d
*00901525cam a2200325 c 4500
*019  $bl
*020  $a8247102374
*035  $a(EXLNZ-47BIBSYS_NETWORK)999815625664702201
*035  $a(NO-LaBS)14938818(bibid)
*035  $a(NO-TrBIB)10020614x
*035  $a(NO-TrBIB)981562566
*035  $a981562566-47bibsys_network
*040  $aNO-TrBIB$bnob$ekatreg
*080  $a621.315.592:548.58
*1001 $aHeinlein, Christian$0(NO-TrBIB)97021006$_115604500
*24510$aAspects of III-V compound semiconductor molecular beam epitaxy :$bsapphire substrate nitridation for GaN growth and selective area regrowth of GaAs using arsenic capping$cby Christian Heinlein
*260  $aTrondheim$bNorges teknisk-naturvitenskapelige universitet, Institutt for fysikalsk elektronikk$c1998
*300  $aVIII, 102 s.$bill.
*4901 $aDoktor ingeniøravhandling$v1998:41
*4901 $aFYS.El.-rapport$v1998:14
*502  $aAvhandling (dr. ing.) - Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet, 1998
*533  $aElektronisk reproduksjon$b[Norge]$cNasjonalbiblioteket Digital$d2010-01-12
*650 7$aHalvledere$xEpitaksi$2tekord$_187009500
*653  $adoktoringeniør$afysikalsk$aelektronikk$_115604600
*830 0$aDoktor ingeniøravhandling (Trondheim : trykt utg.)$x0809-103x$v1998:41$w998711741544702201$_13104400
*830 0$aFYS.EL.-rapport (trykt utg.)$x0805-0597$v1998:14$w998903129824702201$_22510400
*85641$3Fulltekst$uhttps://urn.nb.no/URN:NBN:no-nb_digibok_2010011200027$yNettbiblioteket$zDigital representasjon
*901  $a80
*999  $aoai:nb.bibsys.no:999815625664702202$b2021-11-14T20:58:14Z$z999815625664702202
^