*001736665
*00520250613131119.0
*007ta
*008990519s1992    no            000 0 eng
*00901423cam a2200349 c 4500
*019  $bl
*020  $a8259571455
*035  $a(EXLNZ-47BIBSYS_NETWORK)999203870474702201
*035  $a(NO-LaBS)13848490(bibid)
*035  $a(NO-TrBIB)920387047
*035  $a920387047-47bibsys_network
*040  $aNO-OsNB$bnob$ekatreg
*080  $a537.311.322:535
*080  $a538.915
*080  $a539.1
*080  $a621.315.592.3
*24500$aOptical properties of excitons in GaAs/Al0.3Ga0.7As symmetric double quantum wells$cWestgaard, T. ... [et al.]
*260  $aTrondheim$bSINTEF, Applied Physics$c1992
*300  $aS. 1784-1792$bfig.
*4901 $aSINTEF report$vSTF19 A92004
*500  $aI tittelen: 0.3 og 0.7 i formelen GaAs/Al0.3Ga0.7As skal være nedsenket
*500  $aSærtrykk av: Physical review. B, 45(1992)nr 4
*533  $aElektronisk reproduksjon$b[Norge]$cNasjonalbiblioteket Digital$d2016-08-29
*650 7$aEksiterte tilstander$2tekord$_186948600
*650 7$aGalliumarsenid (Halvledere)$2tekord$_186897700
*650 7$aHalvledere$xElektronstruktur$2tekord$_186948700
*650 7$aHalvledere$xOptiske egenskaper$2tekord$_186948800
*7001 $aWestgaard, Trond$0(NO-TrBIB)90615369$_16368800
*830 0$aSINTEF rapport (SINTEF. Målefysisk laboratorium : trykt utg.)$vSTF19 A92004$w998110210764702201$_14526900
*85641$3Fulltekst$uhttps://urn.nb.no/URN:NBN:no-nb_digibok_2016082908218$yNettbiblioteket$zDigital representasjon
*901  $a80
*999  $aoai:nb.bibsys.no:999203870474702202$b2021-11-14T20:45:42Z$z999203870474702202
^